Ученые Российского технологического университета МИРЭА создали уникальный полевой транзистор на основе алмаза. Разработка обещает превзойти существующие аналоги по производительности и надежности, особенно в экстремальных условиях.
Специалисты МИРЭА представили инновационный полевой транзистор, основой которого стал кристаллически совершенный алмазный слой толщиной менее 1 микрона. Технология выращивания алмаза методом термохимической обработки позволила минимизировать дефекты поверхности, что значительно улучшило электрофизические свойства устройства.
Как отметили в Минобрнауки России, новый транзистор способен эффективно управлять электрическим током через полупроводниковый сигнал. Его ключевые преимущества – высокая термостойкость, устойчивость к радиации и энергоэффективность. По словам разработчиков, прибор на 10-15% превосходит существующие аналоги по производительности.
Александр Алтухов, руководитель лаборатории Алмазной СВЧ-электроники, подчеркнул, что устройство особенно важно для применения в экстремальных условиях. Традиционные кремниевые транзисторы быстро выходят из строя под воздействием высоких температур и радиации, тогда как алмазные аналоги демонстрируют исключительную долговечность.
Перспективы применения:
- Космическая техника
- Ядерная энергетика
- Радиолокационные станции
- Медицинское оборудование
- Промышленная электроника
Разработка МИРЭА открывает новые возможности для создания устойчивой и высокопроизводительной электроники, способной работать в самых жестких условиях. Внедрение алмазных транзисторов может значительно повысить надежность техники в критически важных отраслях.
Источник: neftegaz.ru
Изображение сгенерироввано нейросетью
